PI膜应变片试样制备

一、选取基板

1.喷涂在玻璃基板上PI膜

2.正面用记号笔标记PI膜工艺参数——转速、厚度

3.玻璃板背面为PI膜

二、贴防护膜

1.事先画好二维图，以dxf格式存放

2.裁减合适的大小，并将其贴在打印纸上，用硬物压紧粘牢

3.按下打印机后面的扳手，将滚轮抬起，放入打印纸，抬起扳手

4.开机，打开操作界面，导入文件

5.排版，设定切割参数，注意切割力度6~7即可

6.开始切割

7.将切好的防护膜贴到玻璃基板两侧，在写有标签的一侧贴一层膜，在PI膜那一侧贴上刚刚切割的膜

8.将制备好的试件放入培养皿中并标注。

三、磁致溅射

西净化间磁控溅射操作步骤

1.打开压缩空气或者氮气(左边)，接好Ar(右边第四路，开关打到竖直为开，减压阀尽量关小一点(不超过4)，防止压强过大直接把阀控冲开，建议将减压阀逆时针扭到底，调流量的时候再慢慢打开一点)，开电源(电源柜左下方)，水箱自动开(报警的话说明循环水没开，就在水箱上先开泵，再开压缩机)

2.开放气阀，放样品，放靶材(旋下屏蔽罩，拧松四颗螺钉(M2.5)，顺时针转一点取下压盖)，样品挡板有问题已拆，注意关好靶挡板，关腔室门

3.关放气阀，开机械泵，开旁抽阀，开真空计，至压强为8Pa以下时，关旁抽阀，开电磁阀，开分子泵(直接按on,出现倒三角符号即开)，(不必等待分子泵转速升到820,直接)开插板阀，继续抽真空(10^-4pa)

4.当抽到真空压强后，开流量显示仪电源(ON)，等待示数稳定至0附近

5.开进气阀，这个时候压强会上升，是因为混气室里的气体进入到了真空室，等待一会，等电离计压强不再上升开始下降，最好继续下降到5×10^-3以下

6.开截止间，跟步骤5一样，这个时候压强会上升，等待一会，等电离计压强不再上升开始下降，最好继续下降到5×10^-3以下

7开阀控(流量仪的左边是Ar,阀控打到中间为开，阀控干万不要打到最左边的清洗了）等待一会儿，确定电离计上的压强没有上升时(在10^-3)，电离计打到手动，开节流阀(节流阀之前气缸装反了，所以现在操作跟之前是反的)，调工艺气流量(Cu一般为28左右)，至溅射压强(一般，Cu:0.8-1Pa)。

8.开直流电源(A、C靶)或射频电源(B靶)，调整溅射功率，按On,预溅射一定时间(3min)；

9.开步进电机电源，选择正转或者反转都行，开靶挡板，溅射，时间到后，关挡板，关步进电机，关直流电源或射频电源

10.流量计示数置0后锁紧，等待流量仪示数稳定(到0附近)，关阀控(打到右边)，关流量计，关节流阀，等几秒钟，关截止阀，进气阀

11.关Ar气(减压阀逆时针选到底，开关打到水平状态为关)

12关插板阀，关分子泵(按下OFF即可，第一个灯开始闪烁，调至309或398可看实际频率或转速)至转速为0,时间较长(约50min)慢慢等待；注意，分子泵转速为0后才能关电磁阀)，关电磁阀

13关真空计，开放气阀，取样品和靶材，关腔门

14.开真空计，关放气阀，开旁抽阀抽真空保护，抽到8Pa以下后关真空计，关旁抽阀，关机械泵，关电源，关压缩空气或者氮气(左边，只将开关打到水平即可)；

四、实验结束